耗尽区是指在半导体pn结、肖特基结、异质结中,由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲,从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降的界面区域。
本词条最后更新于 2026-07-01 07:55:49